全球DRAM内存与NAND闪存芯片价格的飙升正深刻影响整个电子产业。其中，DDR5内存条的价格涨幅已达两三倍，且保守预计2026年全年涨价趋势将持续。近期，三星等头部厂商已将新一轮合约价大幅上调50%至60%，部分厂商涨幅甚至超过70%，而这是在去年第三、四季度已连续涨价基础上的再次大幅提价。

本轮内存涨价的直接驱动力来自人工智能基建的旺盛需求，但根本原因在于全球产能无法跟上需求增长。目前，高达95%的全球内存产能集中掌握在三星、SK海力士及美光三大厂商手中，其产能策略直接决定了市场供应格局。

根据调研机构数据，三星2026年内存产能预计微增5%，至约793万片晶圆；SK海力士预计增长8%至648万片晶圆，但其作为全球第一大HBM（高带宽内存）供应商，大量产能将优先转向利润更高的HBM生产；美光产能则预计维持在360万片晶圆左右。总体来看，三大厂商在需求高涨的背景下并未计划大规模投资扩产，倾向于维持供应紧张状态以实现利润最大化。

严重的供不应求导致当前内存市场整体需求满足率仅约60%，服务器内存的满足率甚至低于50%，缺货率高达40%至50%以上。人工智能基建因其巨大的资本投入，对HBM等高端内存的需求尚能得到一定保障。然而，通用消费电子市场（如PC和手机所需的DDR/LPDDR内存）则将面临更严峻的形势：价格持续上涨的同时，供应量可能因HBM产能挤占而进一步缩减。

综上所述，由人工智能需求引领的存储芯片超级周期，正在重塑全球供应链格局。在可预见的未来，消费电子市场将不得不持续承受核心零部件成本激增带来的压力。