摩根士丹利最新预测指出，DRAM和NAND芯片的供应紧张局面将进一步恶化。8月份，DDR5-5600/6400 24GB的现货价格已上涨8%，而新一代DDR5芯片的零售价格仍未见回落迹象。

摩根士丹利认为，DDR4和SLC NAND供应紧缩主要由供应端驱动，因为内存制造商持续将产能转向HBM、DDR5和更高层级的NAND。

预计2026年第三季度，成熟DRAM如DDR4的价格将上涨50%，第四季度再涨10%。相比之下，SLC NAND的价格上涨更为激进，预计本年度剩余两个季度的涨幅都将超过50%。

华尔街巨头指出，随着晶圆产能不断向HBM、DDR5和更高层级的NAND迁移，DDR4和SLC NAND的市场份额正在迅速缩减。

众所周知，HBM的硅晶圆消耗量约为传统DRAM的三倍。这不仅因为HBM的垂直堆叠层数，层间通过硅通孔（TSVs）物理连接的内存单元放置难度也是一个重要因素。

更关键的是，HBM的需求正在不断增长。瑞银预测，仅NVIDIA一家在2027年就将消耗约251亿Gb的HBM，占行业总量的615亿Gb。

与此同时，DDR5价格也未见回落迹象。实际上，根据美国银行的数据，8月份DDR5-5600/6400 24GB的现货价格环比上涨8%，同比上涨483%。要知道，一个24GB DDR5芯片的价格在2025年中期还不到8美元，而现在已接近47美元。