韩国芯片巨头三星可能调整其在建研发设施中的一条生产线，用于生产HBM内存芯片的基础逻辑芯片。这一消息源自ZDNet引用的行业消息源，由于该设施预计两年后开放，计划仍有可能变动。
HBM内存芯片主要用于AI计算应用，设计时需要将多个DRAM内存芯片堆叠在一起。随着计算基础设施性能要求的提升，这些芯片的设计也在不断进步。除了堆叠的DRAM层数增加外，HBM内存芯片的基础芯片也是发展的关键。
当制造商发展到HBM3和HBM3E内存芯片时，基础芯片首次升级到IC代工厂节点工艺。由于数据速率和引脚速度从上一代内存芯片显著提升，基础芯片开始依赖于20纳米到12纳米的逻辑节点。
随着HBM4内存芯片的采用，这种转变再次发生。HBM4内存芯片目前用于最新的AI产品，如NVIDIA的Rubin芯片。这一变化是由于HBM3E内存实现的高数据速率、更宽的总线和更多的硅通孔（TSVs）所必需的。这些变化使得代工厂，如台积电和三星代工厂，接管了制造HBM芯片基础芯片的角色。
现在，ZDNet的一份报告声称，三星有兴趣调整其在韩国Giheung工业区在建研发设施中的一条生产线。这条生产线可以通过2纳米芯片制造技术生产HBM基础芯片，报告补充说，这些基础芯片可能为NVIDIA的AI芯片准备，可能用于此目的的生产线是NRD-K Line 2。
今年早些时候，三星宣布将使用4纳米制造技术生产HBM4内存芯片。除了三星，SK海力士也将与其代工厂合作生产其HBM芯片，因为该公司已与台积电合作。台积电为构建HBM内存芯片提供了成熟的N12节点和先进的N5节点作为选项。内存行业的第三位玩家美光也与台积电合作生产其HBM4内存芯片。
