英特尔似乎有意重返内存市场。CEO Lip-Bu Tan透露，内存业务不再是简单的商品交易，而是蕴含着巨大的创新机会。
英特尔自1968年成立以来，最初便是以半导体公司的身份亮相，推出的首批产品就包括3101 SRAM和1103 DRAM这两款内存芯片。
英特尔之前在内存领域的尝试包括Optane产品，这是一款基于与美光共同研发的3D XPoint架构的产品。但由于技术普及不如预期，加之HBM和多层3D堆叠技术展现出更优的潜力和成本效益，Optane产品在2022年宣告停产。
四年后，随着Optane停产，英特尔再次暗示将重返内存业务。近期的招聘活动也显示了这一点，Lip-Bu Tan成功邀请了前SK海力士CEO Seok-Hee Lee加盟，担任代工业务和先进封装技术的执行副总裁。
英特尔还在与合作伙伴默默推进内存技术，目前正在研发XBM和ZAM等新技术。
英特尔过去的DRAM尝试，如HMC（混合内存立方体）和MCDRAM，因各种问题未能上市。但随着XBM的推出，英特尔调整了其DRAM的发展方向，而ZAM可能让公司再次涉足DRAM领域，正值内存市场面临供应短缺之际。
Lip-Bu Tan在TechSurge: Deep Tech VC Podcast中分享了公司在内存领域的未来计划。他指出，当前对CPU的需求激增，公司正在探索如何构建CPU以满足客户不断增长的需求。这家半导体和芯片制造商不仅在寻找构建新架构CPU的方法，还在研究如何将CPU与堆叠DRAM技术相结合。
Lip-Bu进一步表示，目前许多内存需求尚未得到满足，公司正致力于这一领域的创新。他最关键的声明是，过去他个人不愿投资内存业务，因为那只是普通商品交易，但随着AI需求的增长，市场动态发生了巨大变化。现在，内存业务已不再是普通商品交易。
他暗示公司正在进行一些工作，但英特尔尚未准备“全面展开”。Lip-Bu强调，他总是从短期、中期和长期的角度考虑这些项目的可行性。
