三星在FMS 2026上发布了全新的内存和存储技术，包括V10 BV-NAND、zHBM和zNAND-O。
随着AI和计算需求的不断增长，现有技术开始显现出局限性，制造商需要投资于能够在未来AI基础设施中发挥基础作用的变革性概念。
zHBM内存解决方案是主要技术亮点。根据三星的说法，zHBM将现有的HBM设计直接放置在AI加速器上方。目前，HBM位于主要AI加速器计算芯片旁边，但将其置于AI加速器上方将节省空间，并在数据传输速度方面提供更好的增益。
zHBM预计将提供更高的带宽和改进的能效。三星声称zHBM将在性能上比传统HBM5解决方案提升8倍，内存密度提升10倍以上，同时提供3倍的能效，并减少一半以上的热阻。
三星没有透露太多技术细节，因为它仍处于早期概念阶段，但表示zHBM将提供客户特定设计的灵活性。三星已经在与客户合作，进一步优化zHBM在下一代AI加速器上的集成。
zNAND-O是另一种被公布的技术，它是基于三星V-NAND的高性能和下一代NAND解决方案。
zNAND-O将提供4层和8层配置，将高空间效率、改进的I/O性能和低延迟结合起来。zNAND-O旨在用于边缘AI应用，尽管尚未说明这是否是预计在2030年左右准备就绪的多层堆叠V-NAND技术。
最后，我们有三星的下一代NAND解决方案V10 BV-NAND。这将是三星首款采用混合键合的V-NAND架构，将NAND推向400层以上。
据说，通过BV-NAND，三星的V10存储设计将提供更高的性能和能效，同时大幅提升存储密度。这项技术简单直接，利用混合键合将存储单元堆叠在一起，而不是制造具有更密集层的单个单元。与V9 NAND相比，内存密度提升了58%，并且与前代相比提高了读写和I/O性能。
值得一提的是，三星已经在为1000层以上混合键合方法做准备，BV-NAND已经正式开启了这一趋势。在未来几年中，我们将看到三星的SSD和存储产品组合的存储容量迅速增加，其内存解决方案将随着zHBM、HBM4E、HBM5、GDDR7等技术的快速发展而不断创新。
