据科技媒体FundaAI报道，英特尔已与中国台湾第二大晶圆代工厂联华电子（UMC，简称联电）达成合作，共同开发12nm与3nm芯片制造工艺。这一合作标志着长期专注于成熟制程的联电，将通过英特尔的美国工厂重新进入前沿半导体制造领域，也是英特尔CEO陈立武强化代工业务、争夺台积电市场份额的关键一步。

双方的合作始于2024年1月，当时宣布将共同开发12nm FinFET工艺平台，并利用英特尔在亚利桑那州Ocotillo园区的产能来共同开发客户。根据最新报道，12nm合作进展迅速：工艺设计套件（PDK）预计于2026年内交付客户，2027年初完成流片，年底实现量产，主要面向物联网、WiFi芯片等市场。联电总裁王石在2026年5月证实，该项目的验证工作正在英特尔亚利桑那州工厂进行，预计年底完成，2027年量产。

此次3nm制程合作基于同样的逻辑：英特尔提供制造能力（特别是基于FinFET晶体管设计经验），而联电则贡献其在成熟节点上丰富的代工服务经验，尤其是积累的客户资源，以提升英特尔工厂的产能利用率。生产将集中在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo园区的工厂（包括Fab 12、Fab 22和Fab 32），也有消息称主要是Fab 52。对于联电来说，这意味着其能够在不投入巨额资本购置极紫外（EUV）光刻机等尖端设备和独自建厂的前提下，获得进入尖端制程市场的入场券。

报道称，虽然联电与英特尔在3nm上的合作模式与之前的12nm协议类似，但目标更为宏大——双方计划开发一个性能对标台积电3nm的制程节点，直接争夺先进制程代工市场。这一合作将使联电时隔近十年后，重返由台积电、三星主导的先进制程赛道。

自2017年宣布退出10nm以下先进制程竞争后，联电长期专注于成熟制程和特殊工艺。然而随着人工智能时代对先进芯片需求激增，其市场份额持续萎缩，近两年已被中芯国际超越跌至第四，2026年第一季度市场份额已降至3.9%。与此同时，英特尔自2021年提出“IDM 2.0”战略后，加速尖端制程开发并重启晶圆代工业务，目标是2030年成为全球第二大晶圆代工厂。2025年新任CEO陈立武上任后，虽然暂停了多项美国以外的产能扩张计划，但并未放弃代工业务，而是聚焦尖端制程和美国本土晶圆代工业务的发展。

截至发稿时，英特尔与联电均未就此传闻进行回应。